家电巨头进军车规级SiC赛道！广汽或成首发车企？
作者： 发布时间：2026-02-06 14:02:07 浏览量：
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）格力也开始做车规级碳化硅了？近日在大湾区化合物半导体生态应用大会上，格力电器总裁助理、珠海格力电子元器件有限公司总经理冯尹透露， 格力电器的碳化硅芯片工厂在量产家电用碳化硅芯片后，今年还将量产光伏储能、物流车等应用的碳化硅芯片。
有意思的是，在1月15日广汽集团董事长冯兴亚率队到访格力电器，并邀请格力电器董事长董明珠体验旗下高端车型昊铂A800时表示，广汽推出了一款攀登版车型，其中搭载的1004颗芯片知识产权均属于中国。随后董明珠笑称：“将来有500个是格力的”，冯兴亚回应：“下一步争取把格力的汽车芯片装上车”，有媒体将其解读为“广汽未来汽车芯片半数将由格力替代”。
当然广汽在1月20日也进行了辟谣，表示相关网传表述并非事实：“广汽集团董事长冯兴亚率队访问格力电器，与董事长董明珠及管理团队共商“人车家”智慧生态融合发展，探讨产业协同。后续如有合作的具体进展，我们会第一时间通过官方渠道发布。”
但在这次舆论风波的背后，是格力电器确实已经有车规芯片的供应能力。
格力的芯片布局
格力的造芯之路，最早可以追溯至2010年，格力电器全资子公司格力新元电子在2010年首次量产IPM智能功率模块产品，用于空调等家用电器产品。
到2015年，格力电器成立微电子所，内部研发启动，重点攻关空调主控芯片；2017年董明珠公开宣布“哪怕花500亿也要把芯片做出来”，将芯片业务上升至集团最高战略高度。
随后在2018年，格力电器全资子公司——珠海零边界集成电路有限公司成立，这也标志着格力正式拥有独立的芯片设计实体。零边界的定位是负责工业级MCU、SoC以及功率器件的设计，目前主要产品有EM32系列MCU、EAI系列的AIoT SoC以及G-IPM系列的智能功率模块。
2022年，格力电器又成立了珠海格力电子元器件有限公司，核心业务为制造与封测，代表格力的芯片布局从Fabless走向IDM，该公司实现了从衬底、外延、设计、流片到封测的全链条自主可控，彻底打破了变频空调核心功率器件对外资企业的依赖。而格力电子元器件不仅为格力内部供应芯片，还向全行业提供碳化硅晶圆代工流片服务。
据介绍，格力电子元器件拥有拥有全球第二条、国内领先的全自动化碳化硅芯片产线。该产线于2022年12月启动建设，在2023年底通线，产线国产设备导入率超过 70%，引入了天车滑轨系统和百级无尘环境，整条生产线仅需平均不到40人运营。目前珠海SiC工厂一期的6英寸晶圆规划产年24万片，并已具备向8英寸晶圆升级的兼容能力。
根据冯尹在演讲中的披露，格力元器件的碳化硅芯片已在格力家用空调中大规模出货，累计装机超过200万台，截止2025年底，格力自研芯片累计销量正式突破3亿颗。同时今年将实现光伏储能用、物流车用碳化硅芯片的量产，用于中央空调冷水机组、充电桩等领域的SiC器件也将于2026年陆续投产。
进入车规碳化硅赛道，新能源汽车需求仍持续高涨
过去，格力其实也多次布局新能源汽车领域，包括以格力钛新能源布局钛酸锂电池，面向储能和新能源客车市场；通过珠海零边界等公司开发车载空调、电机、电控等核心零部件，试图切入汽车供应链，并在2024年开始小批量向外部车企供货。
而在2025年开始，格力开始将芯片研发重心转向车规级芯片上。2025年6月，董明珠卸任零边界的董事长及法定代表人，由格力芯片研发核心领头人之一的李绍斌接任，格力芯片业务正式进入专业化、产业化运营阶段。
在2025年下半年，格力通过多个半导体行业峰会透露公司的研发重心已全面向车规级IGBT、碳化硅驱动芯片及工业级高可靠性芯片倾斜。因此，这次广汽集团到访格力电器也是标志着格力正式进军车规芯片供应链。
随着新能源汽车高压平台的发展，过去高端的800V平台随着碳化硅产业的扩张和降本，已经被快速普及至20万元以下级别车型，目前高端车型电压平台正在往900V甚至是1000V发展。
而高压平台的普及，对碳化硅功率器件的需求量就更高。过去400V平台中搭配的逆变器基本采用硅基IGBT作为核心，随着电压提升，采用SiC器件的整体效率提升就越明显。
对于逆变器而言，800V高压平台下使用SiC MOSFET会比传统的硅基IGBT整体系统效率提高8%。SiC MOSFET器件与其相同额定参数的IGBT相比，总损耗可减少38%-60%。尤其是SiC MOSFET在轻载时的损耗远远小于IGBT。由于电动汽车在城市中行驶时，绝大多数时间工作在轻载工况，SiC MOSFET所减少的损耗可以折算为5%-10%的电池续航里程。
具体来说，相比于硅基IGBT，SiC MOSFET在器件关断时无明显的拖尾电流，进而可以降低器件的开关损耗；同时电动汽车在匀速行驶状态下，电控所需输出的电流大小远低于额定电流值，而SiC MOSFET在中低电流下的导通损耗显著低于IGBT。
与此同时，在相同功率前提下，采用SiC器件的模块尺寸和重量相比传统硅基模块大幅缩小，甚至可以令开关损耗降低75%。这对于轻量化与节能需求极大的电动汽车可以说是刚需。
值得一提的是，不只是纯电动汽车，在去年推出的一些高端插电混动车型中，也用到了高压平台。混动车型800V平台的加速渗透，也进一步驱动了市场对碳化硅的需求。
根据TrendForce及Yole Group的最新预测，2026年全球SiC功率元件的市场产值预计将突破 50亿至53亿美元，其中新能源汽车领域的贡献占比高达70%-80%，而该市场正以约 35%-38% 的年复合增长率（CAGR）高速扩张。
小结：
格力进军车规SiC市场，是其通过全产业链自主可控的车规级碳化硅供应能力后的技术外溢，切入高压平台驱动下的新能源汽车爆发式需求增长点，更标志着格力正加速从家电巨头向汽车核心Tier 1供应商的蜕变。在实现供应链自主可控的同时，也通过碳化硅市场的潜在需求空间，寻求新的百亿级增长极。
有意思的是，在1月15日广汽集团董事长冯兴亚率队到访格力电器，并邀请格力电器董事长董明珠体验旗下高端车型昊铂A800时表示，广汽推出了一款攀登版车型，其中搭载的1004颗芯片知识产权均属于中国。随后董明珠笑称：“将来有500个是格力的”，冯兴亚回应：“下一步争取把格力的汽车芯片装上车”，有媒体将其解读为“广汽未来汽车芯片半数将由格力替代”。
当然广汽在1月20日也进行了辟谣，表示相关网传表述并非事实：“广汽集团董事长冯兴亚率队访问格力电器，与董事长董明珠及管理团队共商“人车家”智慧生态融合发展，探讨产业协同。后续如有合作的具体进展，我们会第一时间通过官方渠道发布。”
但在这次舆论风波的背后，是格力电器确实已经有车规芯片的供应能力。
格力的芯片布局
格力的造芯之路，最早可以追溯至2010年，格力电器全资子公司格力新元电子在2010年首次量产IPM智能功率模块产品，用于空调等家用电器产品。
到2015年，格力电器成立微电子所，内部研发启动，重点攻关空调主控芯片；2017年董明珠公开宣布“哪怕花500亿也要把芯片做出来”，将芯片业务上升至集团最高战略高度。
随后在2018年，格力电器全资子公司——珠海零边界集成电路有限公司成立，这也标志着格力正式拥有独立的芯片设计实体。零边界的定位是负责工业级MCU、SoC以及功率器件的设计，目前主要产品有EM32系列MCU、EAI系列的AIoT SoC以及G-IPM系列的智能功率模块。
2022年，格力电器又成立了珠海格力电子元器件有限公司，核心业务为制造与封测，代表格力的芯片布局从Fabless走向IDM，该公司实现了从衬底、外延、设计、流片到封测的全链条自主可控，彻底打破了变频空调核心功率器件对外资企业的依赖。而格力电子元器件不仅为格力内部供应芯片，还向全行业提供碳化硅晶圆代工流片服务。
据介绍，格力电子元器件拥有拥有全球第二条、国内领先的全自动化碳化硅芯片产线。该产线于2022年12月启动建设，在2023年底通线，产线国产设备导入率超过 70%，引入了天车滑轨系统和百级无尘环境，整条生产线仅需平均不到40人运营。目前珠海SiC工厂一期的6英寸晶圆规划产年24万片，并已具备向8英寸晶圆升级的兼容能力。
根据冯尹在演讲中的披露，格力元器件的碳化硅芯片已在格力家用空调中大规模出货，累计装机超过200万台，截止2025年底，格力自研芯片累计销量正式突破3亿颗。同时今年将实现光伏储能用、物流车用碳化硅芯片的量产，用于中央空调冷水机组、充电桩等领域的SiC器件也将于2026年陆续投产。
进入车规碳化硅赛道，新能源汽车需求仍持续高涨
过去，格力其实也多次布局新能源汽车领域，包括以格力钛新能源布局钛酸锂电池，面向储能和新能源客车市场；通过珠海零边界等公司开发车载空调、电机、电控等核心零部件，试图切入汽车供应链，并在2024年开始小批量向外部车企供货。
而在2025年开始，格力开始将芯片研发重心转向车规级芯片上。2025年6月，董明珠卸任零边界的董事长及法定代表人，由格力芯片研发核心领头人之一的李绍斌接任，格力芯片业务正式进入专业化、产业化运营阶段。
在2025年下半年，格力通过多个半导体行业峰会透露公司的研发重心已全面向车规级IGBT、碳化硅驱动芯片及工业级高可靠性芯片倾斜。因此，这次广汽集团到访格力电器也是标志着格力正式进军车规芯片供应链。
随着新能源汽车高压平台的发展，过去高端的800V平台随着碳化硅产业的扩张和降本，已经被快速普及至20万元以下级别车型，目前高端车型电压平台正在往900V甚至是1000V发展。
而高压平台的普及，对碳化硅功率器件的需求量就更高。过去400V平台中搭配的逆变器基本采用硅基IGBT作为核心，随着电压提升，采用SiC器件的整体效率提升就越明显。
对于逆变器而言，800V高压平台下使用SiC MOSFET会比传统的硅基IGBT整体系统效率提高8%。SiC MOSFET器件与其相同额定参数的IGBT相比，总损耗可减少38%-60%。尤其是SiC MOSFET在轻载时的损耗远远小于IGBT。由于电动汽车在城市中行驶时，绝大多数时间工作在轻载工况，SiC MOSFET所减少的损耗可以折算为5%-10%的电池续航里程。
具体来说，相比于硅基IGBT，SiC MOSFET在器件关断时无明显的拖尾电流，进而可以降低器件的开关损耗；同时电动汽车在匀速行驶状态下，电控所需输出的电流大小远低于额定电流值，而SiC MOSFET在中低电流下的导通损耗显著低于IGBT。
与此同时，在相同功率前提下，采用SiC器件的模块尺寸和重量相比传统硅基模块大幅缩小，甚至可以令开关损耗降低75%。这对于轻量化与节能需求极大的电动汽车可以说是刚需。
值得一提的是，不只是纯电动汽车，在去年推出的一些高端插电混动车型中，也用到了高压平台。混动车型800V平台的加速渗透，也进一步驱动了市场对碳化硅的需求。
根据TrendForce及Yole Group的最新预测，2026年全球SiC功率元件的市场产值预计将突破 50亿至53亿美元，其中新能源汽车领域的贡献占比高达70%-80%，而该市场正以约 35%-38% 的年复合增长率（CAGR）高速扩张。
小结：
格力进军车规SiC市场，是其通过全产业链自主可控的车规级碳化硅供应能力后的技术外溢，切入高压平台驱动下的新能源汽车爆发式需求增长点，更标志着格力正加速从家电巨头向汽车核心Tier 1供应商的蜕变。在实现供应链自主可控的同时，也通过碳化硅市场的潜在需求空间，寻求新的百亿级增长极。